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J-GLOBAL ID：201602000082706833   整理番号：71A0040509

電子照射における銅の欠陥クラスタ形成の結晶方位依存

The orientation dependence of defect cluster formation in copper during electron irradiation.

著者 (1件)： MAKIN M J
資料名： Proc Intern Conf At Collision Phenomena Solid Brighton  (Proceedings International Conference on Atomic Collision Phenomena in Solids 690907)
ページ： 205-216  発行年： 1970年 
JST資料番号： K19690151  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 予稿  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高圧電子顕微鏡での加速電圧を利用すれば,軽または中位の原子量物質の原子変位を作るのに十分であって,このような装置は照射損傷を詳しく調べるのに便利である。割込み欠陥クラスタは300.Kで照射された銅で形成され.時間の関数としてのクラスタ密度は均質核形成理論によって予想される数とよく一致している。クラスタの裸層は全表面や結晶粒界のまわりで観測され,この層の幅もまた理論とよく一致した。変位エネルギーE,は薄膜の厚さの関数として,しきい値の電子エネルギーでの観察でまつたく正確に測定することができ,<100>,<110>,とく111>方向の銅でのE,はおのおの約21.6,19.2と23.6eVであることを示した;写図8参11

シソーラス用語： 結晶 ,  電子ビーム ,  電子顕微鏡 ,  銅 ,  放射線効果

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子照射 ,  銅 ,  欠陥クラスタ ,  結晶方位