抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
中性子照射量を関数としてP
+n接合の高振動の容量,電位特性を説明できるモデルを作り空間電荷領域の解釈と設計に役立たせるためこの研究を行った。P
+n接合の中性子照射によるCV特性は線量の減少にともなって減少する2ステップ関数であるが線量が多くなると電圧には無関係となる。空間電荷領域の幅は線量とともに増加しその変化量は印加電圧やバイアスには無関係である。試料はほう素拡散のダイオードのバルクとエピタクシャルを用いた。理論的にはポアソンの式に上記の特性を考慮に入れた仮定のもとで解き,トラップ,ドナーならびにトラップのエネルギーを求め,空間電荷領域の幅を決定する。この計算例としてトラップが1つと2つの場合に適用し幅の変化量を求ている。以上の計算から空間電荷領域の幅の増加量はトラップのエネルギー準位と密度とに依存するがドナーの密度にはあまり影響されない。またこれらの発生率はバルクでN
d=5x10
14cm
-3に対し0.95cm
-1,エピタクシャルでN
d=5x10
14cm
-3で0.64cm
-1であってE
c-0.4eV,E
c-0.58eVの準位のダイベイカンシイがあるとした方が実験とよく一致することからダイベイカンシイ欠陥の存在が考えられる
