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J-GLOBAL ID：201602000106308257   整理番号：70A0249311

金属-半導体バリヤのキャリヤ伝達

Carrier transport across metal-semiconductor.barriers.
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著者 (2件)：
CHANG C Y

CHANG C Y について

, 
SZE S M

SZE S M について


資料名：
Solid-State Electron  (Solid-State Electronics)

Solid-State Electron について


巻： 13  号： 6  ページ： 727-740  発行年： 1970年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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金属-半導体バリヤのキャリヤ伝達を理論的および実験的に解析し一般化した定量的な表示式を導いた。鏡像力の低下,温度,不純物の二次元変化を考慮に入れて熱電子過程,トンネル過程を解析し,1016cm-3付近で飽和電流密度が最小となること,低ドーピングで電流密度がやや増加することを導いた。バリア高さ0.85eVのPtSi-Si系では300°K,1014cm-3で飽和電流8nA/cm2,1016cm-3で60nA/cm2の最小値に達し,1020cm-3では103A/cm3に急増する。ガードリング構造の金属-Siダイオードで実験した結果は理論とよく一致する;写図11表2参13
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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金属-半導体パリヤ

金属-半導体パリヤ について


タイトルに関連する用語 (2件)：
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バリヤ

バリヤ について

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キャリヤ

キャリヤ について


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