文献

J-GLOBAL ID：201602000130732450   整理番号：72A0257247

Slip Plane転位の,NPNプレーナトランジスタの電気的動作に与える影響

Influence of slip plane dislocations on electrical performances of N-P-N planar transistors.

著者 (2件)： CONTI M ,  CORDA G
資料名： IEEE Trans Electron Devic  (IRE Transactions on Electron Devices)
巻： 18  号： 12  ページ： 1148-1150  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 転位を起こしているバイポーラシリコンプレーナトランジスタの,利得と雑音について報告。転位を起こしている半導体の素子では,高V_BE,あるいは低V_BEでベース電流を増加させ,さらに,そのベース電流は,表面電位の影響を強く受け,正イオン,負イオンによる汚染もh_FEに強く影響する。また1/f雑音も,ペース表面の変形(転位による)による欠陥により強く発生するようである;写図4表1参7

シソーラス用語： 雑音 ,  転位 ,  表面電位
準シソーラス用語： プレーナトランジスタ

タイトルに関連する用語 (3件)： 転位 ,  プレーナ ,  トランジスタ