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J-GLOBAL ID：201602000158495306   整理番号：71A0243259

デプレッション形MOSトランジスタのチャネルにそった移動度の変化

Changes of mobility along a depletion type MOS transistor channel.

著者 (2件)： BAR-LEV A ,  MARGALIT S
資料名： Solid-State Electron  (Solid-State Electronics)
巻： 13  号： 12  ページ： 1541-1546. 1542(1)  発行年： 1970年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： デプレッション形NチャネルMOSトランジスタの特性はチャネルにそった実効移動度が一定であると考えた特性とはかなりずれている。 実測結果ではドレーン誘起電界の作用によってドレーン方向に移動度が減少していることがわかった。移動度の電界依存性から定速度を仮定し.いろいろなドレーン電圧に対する表示式を導いた。 チャネルにそって電圧測定ができる特殊な構造のデバイスを作り.ドレーン特性,飽和点,チャネルにそった電位分布を測定し,実測結果は移動度が一定とするモデルよりも移動度がドレーン電界に依存すると考えたモデルの方によく合致することを示した;写図8参16

シソーラス用語： MOSFET
準シソーラス用語： チャネル移動度 ,  チャネル移動度(MOSFET)

タイトルに関連する用語 (4件)： デプレッション ,  MOSトランジスタ ,  チャネル ,  移動度