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J-GLOBAL ID：201602000160795872   整理番号：60A0008993

けい素単結晶における高エネルギー(Frascati 1GeV電子シンクロトロンγ線を用いた)での電子対発生断面積の予備的結果

Electron pair production at hign energy in a silicon single crystal.

著者 (3件)： BOLOGNA G ,  DIAMBRINI G ,  MURTAS G P
資料名： Phys Rev Lett  (Physical Review Letters)
巻： 4  号： 3  ページ： 134-135  発行年： 1960年 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

タイトルに関連する用語 (7件)： けい素 ,  単結晶 ,  高エネルギー ,  電子シンクロトロン ,  γ線 ,  電子対 ,  断面積