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J-GLOBAL ID：201602000165351182   整理番号：70A0036075

TeをドープしたGaSbの電子照射によるN形からP形への変換:熱伝導度による研究

Conopgaion de type n au type p, par irradiation electronique,de l’antimoniure de gallium dope au tellure: etude par conductibilite thermique.

著者 (2件)： POUJADE A M ,  ALBANY H J
資料名： C R Hebd Seances Acad Sci  (Comptes Rendus Hebdomadaires des Seances de l'Academie des Sciences. Serie A. Sciences Mathematiques, Serie B. Sciences Physiques)
巻： 270  号： 13  ページ： B840-B843  発行年： 1970年 
JST資料番号： B0303B  CODEN： CHDAA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： フランス (FRA)  言語： フランス語 (FR)

抄録/ポイント： 4.2°-100°KでGaSb(Te)に3×1005-3×1017電子/cm2の電子線を照射して熱伝導度Kを測定した。照射量が増すと試料の電気抵抗はN形で増加し1017電子/cm2でP形に変る。熱抵抗は変換照射線量の所でするどい極小を示す;写図3参7

シソーラス用語： 電子照射 ,  熱伝導率
準シソーラス用語： GaSb ,  N→P ,  伝導型変換 ,  伝導型変換(N→P)

タイトルに関連する用語 (6件)： Te ,  ドープ ,  GaSb ,  電子照射 ,  熱伝導度 ,  研究