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J-GLOBAL ID：201602000178216616   整理番号：71A0248208

Si伴導体素子におけるPtSiコンタクト

著者 (2件)： KAMOSHIDA M ,  OKADA T
資料名： NEC Res Dev  (NEC Research & Development)
号： 16  ページ： 24-34  発行年： 1970年 
JST資料番号： G0138A  ISSN： 0547-051X  CODEN： NECRA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： PtSiコンタクト形成技術と.その電力的特性をビームリード半導体素子に関して述べる。コンタクト孔にPtSiを形成するために,コンタクト孔をSiO₂中にさらしてから.Arふん囲気中で熱処理した後,プラズマスパッタリングを行なう。その形成条件は.厚さでは800Aまで.熱処理温度では1000°Cまでである。PtSiコンタクトとAlコンタクトを用いた.Siトランジスタの問のV-I特性に差違はない。Ptスパッタリングおよび蒸着によるPtSiには特性に差違はないがその結晶構造は異なっている;写図14表2参9

シソーラス用語： スパッタ ,  プラズマ ,  結晶構造 ,  半導体素子
準シソーラス用語： シリコン ,  接点

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  導体 ,  コンタクト