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J-GLOBAL ID：201602000219491171   整理番号：65A0163393

絶縁ゲート形電界効果トランジスタの特性における表面トラップの効果

Effect of surface traps on characteristics of in sulatedgate fieldeffect transistors.

著者 (1件)： OREILY T J
資料名： Solid-State Electron  (Solid-State Electronics)
巻： 8  号： 3  ページ： 267-273  発行年： 1965年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR) 

抄録/ポイント： ゲート電極に印加された電圧によって生じた表面伝導層の形成と表面トラップの存在を仮定して,トランジスタおよびダイオード特性の解析を行った.ダイオードはトランジスタのゲートとソースをつ:ないだものである.この解析において重要な物理パラメータは,ゲート電圧を印加しない時の自由キャリヤとトラップされたキャリヤの比およびトラップされたキャリヤとトラップ・との比である.前者は,素子の動作モードを決定する.すなわち,その値が小さい時はenrichment形,大きい時はdepletion形となる;図5枩5

タイトルに関連する用語 (4件)： 絶縁 ,  ゲート ,  電界効果トランジスタ ,  トラップ