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J-GLOBAL ID：201602000221224342   整理番号：72A0043063

スイッチ過渡過程中におけるPNPN接合内の電位分布

Распределение потенциала в р-n-p-n-структурах во время переходного процесса включения.

著者 (1件)： КАРДОСЫСОЕВ А Ф
資料名： Fiz Tekh Poluprovo  (Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)
巻： 5  号： 12  ページ： 2333-2335  発行年： 1971年 
JST資料番号： R0267A  ISSN： 0015-3222  CODEN： ETPPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： スイッチ時間の短かい(0.2-0.4μs)PNPN接合のベース(N形)内の電位分布がスイッチ動作過程において変化する様子を測定した。パルスを印加した後,電場の強い整流領域はコレクタ側からP形エミッタへと移動する。整流電流の減少,P形ベースを厚くする,P形べ一零のドープ度の減少,これらはすべて移動を小さくする;写図3参3

シソーラス用語： PNPN接合 ,  スイッチ効果 ,  電位分布

タイトルに関連する用語 (3件)： 過程 ,  PNPN接合 ,  電位分布