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J-GLOBAL ID：201602000243420226   整理番号：73A0254650

高電流密度におけるPN接合の順電圧降下

Forward voltage drop across a PN junction diode at high current densities.

著者 (1件)： BAR-LEV A
資料名： Int J Electron  (International Journal of Electronics)
巻： 31  号： 6  ページ： 649-659  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0287B  ISSN： 0020-7217  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高電流密度でのPN接合の順方向電圧降下を計算するには,非線形微分方程式を数値計算するか・または電界分布に近似を行なわなけれぽならないが.その際.厚いダイオードでは誤差が大きい。この論文では.より近似度のよい方法で.厚いダイオードをも近似しうる,閉じた形の解を得た。そして.この方法で比抵抗の異なる種々のダイオードについて計算解析を行なった。また,新しい方法を薄いダイオードに適用した結果,今まで用いられていた近似解に比べて,バルクの電圧降下が大きくなることがわかった。厚いダイオードの実験結果と計算結果はよく一致する;写図5表1参5

シソーラス用語： PN接合 ,  ダイオード ,  数値計算 ,  電流密度
準シソーラス用語： 電圧降下

タイトルに関連する用語 (4件)： 高電流密度 ,  PN接合 ,  順 ,  電圧降下