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J-GLOBAL ID：201602000245235086   整理番号：71A0029673

RFスパッタによるシリコン上の酸化アルミニウム膜

RF sputtered aluminum oxide films on silicon.

著者 (1件)： SALAMA C A T
資料名： J Electrochem Soc  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 117  号： 7  ページ： 913-917  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 0013-4651  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アルゴンふん囲気中でアルミナターゲットからRFスパッタによりシリコン上にデポジットさせた酸化アルミニウム膜の物理的.電気的性質を0.5’-3W/erのスパッタ出力密度で調べた。デポジットした膜の生成率はこの出力密度範囲で20-・SOA/minであり、無定形であるこの膜の密度と誘電率はエッチの割合が出力密度の増加とともに減少する場合増す。また酸化アルミニウムーシリコン界面での電荷は10’21/cufより大であり,この値は出力密度の増加とともに増し,焼鈍により減少する。この外.熱的に生成させた酸化シリコンとスパッタリング酸化アルミニウムの2重層について言及;写図8参33

シソーラス用語： スパッタ ,  酸化アルミニウム ,  薄膜
準シソーラス用語： シリコン上 ,  スパッタ(酸化アルミニウム膜/シリコン上) ,  スパッタリング膜 ,  酸化アルミニウム(スパッタリング膜/シリコン上) ,  酸化アルミニウム膜 ,  薄膜(酸化アルミニウム/シリコン上)

タイトルに関連する用語 (4件)： RFスパッタ ,  シリコン ,  酸化 ,  アルミニウム膜