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J-GLOBAL ID：201602000280332230   整理番号：71A0032691

電子ビーム・プラズマードープ過程

Electron- beam plasma-doping process.

著者 (1件)： MYER J H
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 42  号： 7  ページ： 2851-2853  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子ビームをエネルギー源とし。ドープフォイルを用いた局所ドーピングを述べる。整流性Siのp-on-n,n-Qn-p接合を製作した,写図4参6

シソーラス用語： 電子ビーム
準シソーラス用語： P-N接合 ,  シリコン ,  ドープ過程 ,  局所ドーピング

タイトルに関連する用語 (2件)： 電子ビーム ,  過程