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J-GLOBAL ID：201602000281029557   整理番号：71A0371305

真空蒸着によるシリコン薄膜のサファイアおよびスピネル上へのエピタキシー成長

著者 (1件)： 安田幸夫 (東芝(総研))
資料名： Jpn J Appl Phys  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 10  号： 1  ページ： 45-51  発行年： 1971年 
JST資料番号： G0520A  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2×10^-6Torrの真空中の蒸着で単結晶Si薄膜を,サファイアの(〓1,2)および(11〓,0)面上またはスピネルの(111),(001),(113)表面上に成長させた.反射電子回折法により成長機構を研究した.サファイア上の初期の蒸着段階では数種の配向が認められるが,蒸着が進むと一種類の配向が大部分を占めるようになる:参20

タイトルに関連する用語 (5件)： 真空蒸着 ,  シリコン薄膜 ,  サファイア ,  スピネル ,  エピタキシー成長