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J-GLOBAL ID：201602000315451040 整理番号：64A0179750
接合ゲート電界効果トランジスタにおける低周波雑音の理論
Theory of lowfrequency generation noise in junctiongate fieldeffect transistors.
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著者 (1件)：
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資料名：
Proc IEEE (Proceedings of the IRE)
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巻：
52
号：
7
ページ：
795-614
発行年：
1964年
JST資料番号：
D0378A
ISSN：
0018-9219
CODEN：
IEEPAD
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
抄録/ポイント：
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Shockley-Read-Ha1l中心の電荷のゆらぎから発生する電界効果トランジスタの雑音を理論的に論じた。この雑音発生の機構とチャネルにおける他の機構(熱雑音および電荷出匿のゆらぎ)との比較を簡単な一次元モデルを用いて示した。この雑音機構の二次元的解析を静電場および集中足数モデルを用い,ゆるいチャネルの近似によって行なった。この械構においては表面雑音およびチャ糸ルの外部のゲート援合の転移領域にかける雑音などの非理想的な幼果は無祝できることを兄出した;図10参26
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