抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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117’119,120’t22・1a4Snならびに天然のSn,Inについて,陽子エネルギー・3-5.5MeVでの(p,n)反応断面積を±4%の精度で測定した。(p,n)反応断面積がほぼ全吸収断面積に等しいエネルギー領域について光学模型ポテンシャルによる解析を行った。その結果ではポテンシャルの実部の深さのエネルギー依存性は5~10MeV陽子に対しては10-61MeV陽子に対するよりもほぼ3倍大きいことが見出された。3-・5.5MeV陽子に対する最適ポテンシャルの表面吸収部分の厚さはSnについて10MeV陽子に対するものの約半分である。Inの強度関数についてポテンシャルの虚部の広がりと深さを約25%増加して一致を得た;写図10表6参59