文献

J-GLOBAL ID：201602000363445222   整理番号：71A0357685

接合型電界効果トランジスタの中性子照射欠陥からの雑音

Noise from neutron induced defects in junction fie-ld effect transistors.

著者 (2件)： KERN H E ,  McKENZIE J M
資料名： IEEE Trans Nucl Sci  (IRE Transactions on Nuclear Science)
巻： 17  号： 6  ページ： 256-261  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 予稿  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： JFETのゲートとチャネルの間の空乏層に中性子照射して生ずる欠陥は電荷の大さがふらつくのでドレイン電流を変調し雑音の原因となる。14.8MeV中性子を10¹²n/cm²当てて雑音を測る。照射前のろうえい電流の温度依存性からS-N-S発生中心が伝導帯の縁の0.5eV下にあることを示し,中性子照射により実効的S-N-S発生中心がこの付近に創成される。低雑音X線スペクトロスコピーに対しわづか10¹²n/cm²の線量で雑音が3倍になる。スペクトル分布からは単一の寿命をもつ2レベル捕獲中心では説明できない。この方法は欠陥の焼きなましの研究にも使用できる

シソーラス用語： FET ,  温度 ,  雑音 ,  照射 ,  中性子
準シソーラス用語： 電界効果トランジスタ

タイトルに関連する用語 (4件)： 接合型電界効果トランジスタ ,  中性子照射 ,  欠陥 ,  雑音