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J-GLOBAL ID：201602000367303252 整理番号：64A0177919
SiG の成長について
Growth phenomena in silicon carbide.
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著者 (1件)：
KNIPPENBERG W F
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資料名：
Philips Res Rep (Philips Research Reports)
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巻：
18
号：
3
ページ：
161-274
発行年：
1963年
JST資料番号：
D0313A
ISSN：
0031-7918
CODEN：
PRREA
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
オランダ (NLD)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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SiGの成長とその多形について述べてある。成長過程や相転移における不純物の影響が調べられている。成長条件と結晶の構造,化学組成が結びつけてある。種々の晶系は同一の温度と晶癖の関係に従う。晶系の安定性と生成が構造の微細な変化にも変動する電子配置と核の生成に結びつけられている;写12図27表9参140
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