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J-GLOBAL ID：201602000395153541   整理番号：65A0092086

改良したひずみ焼なまし法によるTiNi単結晶の成長

Growth of TiNi single crystals by a modified ”strainanneal” technique.

著者 (4件)： WANG F E ,  SYELES A M ,  CLARK W L ,  BUEHLER W J
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 35  号： 12  ページ： 3620  発行年： 1964年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： TiNiは延性があり容易に線状に成型できるので,長さ10cm,径0.5mmの試料をつくり,表面を化学エッチングして後,この線を引きのばすかよじってひずみを加える.その後線の端をW線に点溶接しこれをガラス管に真空封じする.TiNi線へ電流を通じ500~1100°Cの間の適当な温度で1分間に8回の割合て温度を上下することを数十回行なうことによって,単結晶化することができる.この方法でX線回折に充分使える大きさの単結晶を育成できる.TiNiは簡単なCsCl型構造ではなくa_o=9Åの規則格子構造をもち35°~45°Cで秩序無秩序変態を示す;図1参12

タイトルに関連する用語 (4件)： ひずみ ,  焼なまし ,  TiNi ,  単結晶の成長