文献
J-GLOBAL ID：201602000397969441
整理番号：70A0251015
Siゲート技術
Silicon gate technology.
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著者 (2件)：
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資料名：
巻：
13
号：
8
ページ：
1125-1144.1130(1)-1130(2)
発行年：
1970年
JST資料番号：
H0225A
ISSN：
0038-1101
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
イギリス (GBR)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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デポジットした多結晶Siをデート電極として用いた絶縁ゲート形電界効果トランジスタICの技術と特性をのべた。Siゲート技術の特性.Si。Sio
2Si構造の基本的性質.Siゲートデバイスのプロセス工程をのべ.デコーデング論理をもった8チャネルのマルチブレクサースイッチを標準技術とSiゲート技術とで試作し.その特性を比較した。PチャネルMOSTの特性としてV
T=1.5-2.5V.V
TF=25-35V.BV
D=30-32V,またnチャネル・エンハンスメントモードMOSTの特性としてV
T=1.35-3V,V
TF=20-28V.BV
D324管理28Vを得た;写図20表7参11
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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