文献

J-GLOBAL ID：201602000404775712   整理番号：71A0046060

Cs¹³³の基底状態のhyperfine levelにおけるGaAsレーザによる誘導反転分布

GaAs-laser-induced population inversion in the ground-state hyperfine levels of Cs¹³³.

著者 (3件)： SINGH G ,  DiLAVORE P ,  ALLEY C O
資料名： IEEE J Quantum Electron  (IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻： 7  号： 5  ページ： 196-198  発行年： 1971年 
JST資料番号： H0432A  ISSN： 0018-9197  CODEN： IEJQA7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CS133の基底状態におけるhyperfineleve1の反転分布を,GaAsダイオードレーザからの放射で光ポンピングによる達成する方法を述べた。約7iKで連続動作するGaAsレーザの注入電流を変えるとCs”’の8521Å線を走査できる。実験はネオンで満たされたセシウム蒸気セルと,保護物質で被膜したセシウムセルの両方について行なった。ダイオードレーザは注入電流が容易に調節でき,しかも光学的遷移のhyperfine成分の各々にマッチすることがわかり,さらに将来の応用分野,セシウムメーザの構成,光ポンピングの物理的性質などを論じた;写図6参9

シソーラス用語： セシウム ,  基底状態 ,  光ポンピング ,  半導体レーザ
準シソーラス用語： 超微細構造

タイトルに関連する用語 (5件)： 基底状態 ,  GaAs ,  レーザ ,  誘導 ,  反転分布