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J-GLOBAL ID：201602000548744862   整理番号：72A0271942

SCIメモリセルの動作解析

著者 (3件)： 堀田厚生 ,  谷口研二 ,  今泉市郎
資料名： 電子通信学会半導体・トランジスタ研究会資料
号： 71-41  ページ： 11p  発行年： 1971年 
JST資料番号： S0520A  資料種別： 抄録・索引 (I)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 低消費電力かつ高速性という特長をもつSCIメモリセルの基本動作を定性的に説明し,回路解析プログラムによる計算により確認した。またSCIメモリセルの設計式を導きそのパラメータについて論じた。アクセス時間が読出電流およびアドレス信号の立上り時間に依存し,常時電流に依存しないこと,書込時間が非アクセス時のフリップフロップの保持電圧に依存すること.常時消費電力が50μWのセルがサイクル時間15nSまで動作することを実験的に明らかにした;写図15参6

シソーラス用語： 回路解析 ,  記憶素子 ,  半導体メモリ
準シソーラス用語： フリップロップ

タイトルに関連する用語 (3件)： SCI ,  メモリセル ,  動作解析