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J-GLOBAL ID：201602000553389272   整理番号：71A0042892

Al蒸着条件と素子の性能への影響

Metallization deposition parameters and their effect on device performance.

著者 (1件)： BLACK J R
資料名： Proc Symp Silicon Device Process Gaitherburg  (Proceedings Symposium on Silicon Device Processing 700602)
ページ： 398-408  発行年： 1970年 
JST資料番号： K19700063  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Al薄膜は半導体素子やIC電極として用いられているがこの薄膜は真空蒸着法で作られ,フォトエッチング法で電極を形成するが蒸着条件や蒸着後の処理によりAl薄膜の性質が大きく変化するので素子の信頼性に影響する。ここではAI薄膜の蒸着条件蒸着のメカニズム酸化の問.膜厚と比抵抗の関係,シリカとの化学反応作用およびAlのS沖の拡散について検討を行なった;写図14参5

シソーラス用語： アルミニウム ,  蒸着膜 ,  半導体素子
準シソーラス用語： 金属-半導体接触 ,  集積回路製造

タイトルに関連する用語 (2件)： Al ,  蒸着