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J-GLOBAL ID：201602000598873167   整理番号：71A0243117

MOS電界効果トランジスタの光効果

著者 (2件)： 芦川幹雄 ,  神山孝光
資料名： テレビジョン学会テレビジョン電子装置研究委員会資料  (テレビジョン学会テレビジョン電子装置研究会資料)
号： 85  ページ： 16p  発行年： 1970年 
JST資料番号： F0885A  資料種別： 技術報告 (T)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： MOS電界効果トランジスタ(MOSFET)のチヤネルの光効果の起因として1)半導体基板内の過剰キャリアの生成によるしきり値電圧の減少,2)チャネルの光伝導度,の2つについて簡単な理論的検討を行なった。つぎにCVD法によって被着したSnO₂ガラス薄康を透明なゲート電極とするMOS形FETを作〓チャネルの光効果の実験的検討を行なった。 基板とドレイン,ソースとを開放にしてチャネル領域に光を照射し,ドレイン・ソース間に流れる光電流を測定した結果は,チャネルの光伝導度によって定性的,定量的に大体説明できた;写図9

シソーラス用語： MOSFET
準シソーラス用語： MOSFET(光効果) ,  光効果 ,  光効果(MOSFET)

タイトルに関連する用語 (1件)： MOS電界効果トランジスタ