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J-GLOBAL ID：201602000629091731   整理番号：69A0225795

シリコン中のニッケルの性質

The properties of nickel in silicon.

著者 (2件)： GHANDHI S K ,  THIEL F L
資料名： Proc IEEE  (Proceedings of the IRE)
巻： 57  号： 9  ページ： 1484-1489  発行年： 1969年 
JST資料番号： D0378A  ISSN： 0018-9219  CODEN： IEEPAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン中の活性ニッケル中心の性質を調べた。特にシリコン中のニッケルのエネルギー準位,補償効果を述べ,電気的に活性なニッケルの比率を求めた。n形シリコンではニッケルが少数キャリア寿命時間を減少させるのに効果的である。高温で多くの酸化けい素を形成するので,集積回路の中の寿命時間制御に利用するのはやや難かしい。現在この目的に用いられている金はシリコンと化合物を作らない点がニッケルに比べて優れている。1050°C以上では活性ニッケルを導入するのが制御困難となり,1100°C以上では活性ニッケル密度が急激に低下する;写図8参15

準シソーラス用語： Ni ,  Ni(Si/寿命時間制御) ,  Ni中心 ,  Si ,  Si(Ni中心/寿命時間制御) ,  寿命時間制御 ,  寿命時間制御(Si/Ni中心)

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン ,  ニッケル ,  性質