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J-GLOBAL ID：201602000647246050   整理番号：64A0182587

外因性と真性のGe,Si,GaAsにおけるCuの拡散と溶解度

Diffusion and solubility of copper in extrinsic and intrinsic germanium silicon and gallium arsenide.

著者 (2件)： HALL R N ,  RACETTE J H
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 2  号： 2  ページ： 379-397  発行年： 1964年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： ⁶⁴Cuを用いN形とP形の試料で置換的および割込み的Cuの溶解度を測定した。置換的GuはGe。Si中に3重アクセプタ。GaAs中に2重アクセブタをりくり。割込み的Cuは単一ドナーをつくる。700°C近くでの真性半導体における割込み的溶解度に対する置換的溶解度の比はそれぞれ6~10^-14,30である。割込み拡散係数はP形物質ではドーピングに無関係で。500°CでD=2.8。0.76,1.0×10^-5cm/s。活性化エネルギーは0.33,0.43,0.53eVである。置換的Guとドナーが対になることやアクセプタドーピングによるエネルギーギャップの減少もしらべた

タイトルに関連する用語 (6件)： Ge ,  Si ,  GaAs ,  Cu ,  拡散 ,  溶解度