抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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64Cuを用いN形とP形の試料で置換的および割込み的Cuの溶解度を測定した。置換的GuはGe。Si中に3重アクセプタ。GaAs中に2重アクセブタをりくり。割込み的Cuは単一ドナーをつくる。700°C近くでの真性半導体における割込み的溶解度に対する置換的溶解度の比はそれぞれ6~10
-14,30である。割込み拡散係数はP形物質ではドーピングに無関係で。500°CでD=2.8。0.76,1.0×10
-5cm/s。活性化エネルギーは0.33,0.43,0.53eVである。置換的Guとドナーが対になることやアクセプタドーピングによるエネルギーギャップの減少もしらべた