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J-GLOBAL ID：201602000691043174   整理番号：71A0039557

金属-窒化物-酸化物-半導体構造における放射効果の荷電輸送による補償

Compensation of radiation effects by charge transport in metal-nitride-oxide-semiconductor structures.

著者 (2件)： CRICCHI J R ,  BARBE D F
資料名： Appl Phys Lett  (Applied Physics Letters)
巻： 19  号： 3  ページ： 49-51  発行年： 1971年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 20-5(1)Aの酸化層厚をもつ補償構造におよぼすイオン化照射効果を調べた。照射で生じた2方向性しきい値電圧シフトを窒化物酸化膜の界面での荷電蓄積で解釈した。酸化層を介した担体輸送による寄備照射しきい値電圧レベルの電子回復を実証した;写図3参9

シソーラス用語： トランジスタ ,  界面 ,  補償
準シソーラス用語： CMNOS構造 ,  MNOS ,  イオン化照射 ,  トランジスタ(MNOS) ,  電荷蓄積

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒化物 ,  酸化物 ,  放射効果 ,  荷電輸送 ,  補償