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J-GLOBAL ID：201602000704570667   整理番号：60A0051204

けい素表面の汚染膜

Stain films on silicon.
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著者 (1件)：
ARCHER R J

ARCHER R J について


資料名：
Phys Chem Solid  (Physics and Chemistry of Solid)

Phys Chem Solid について


巻： 14  ページ： 104-110  発行年： 1960年 
JST資料番号： C0202A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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10-1~10-3モルの硝酸,硝酸ナトリウム,またはふっ化水素酸に二酸化窒素を加えた溶液などSiといれたとさに表面に成長する汚染膜について,いろいろの抵抗特性のSiによる膜の成長速長,膜の性質をしらべた:半導体表面についての第二回会議;1959年12月2~4日メリーランドにて開催
タイトルに関連する用語 (2件)：
タイトルに関連する用語
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けい素

けい素 について

, 
汚染

汚染 について


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