抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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半導体検出器の分解能は,電子-空孔対の数のゆらぎによって決る。Fanoの方法によって,ゲルマニウムとシリコン中のイオン化のゆらぎを,Шокли によるイオン化の機構を適用して計算し,実験との比較を行った。また,理論的にFano因子Fとイオン対創成の平均エネルギーWの温度依存性を明らかにした。ゲルマニウムでは,実験値と理論値がよく一致し,ゲルマニウムの分解能は限界にきていることがわかる。一方,シリコンは分解能が更によくなり,600keVに対して半値幅1keVまでの可能性がある;表1参9