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J-GLOBAL ID：201602000726286857   整理番号：71A0247200

半動体表面負荷による可同調Gunn発振器

Tunable Gunn oscillator by semiconductor surface loading.
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著者 (1件)：
TESZNER J L

TESZNER J L について


資料名：
Electron Lett  (Electronics Letters)

Electron Lett について


巻： 7  号： 7  ページ： 146-148  発行年： 1971年 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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誘電体表面負荷によるGunnダイオード中の領域の抑制については良く知られている。最近報じられているように,磁性半導体材料をGaAs薄霞スラブ上に用いて同様な効果が生ずる。本文は半導体表面負荷によりえられる同調形振幅変調Gunn発振器について述べてある。負荷はカソードを部分的に覆っている。発振周波数は,アノードと表面負荷半導体の端部値の距離Xにより定り,6:1まで連続的に変えうる。これらの現象は,二つの高電界領域の共存により説明さ航る。この方法は,領域成長時間の測定をも与える:写図3参11
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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Gunnダイオード

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同調

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Gunn発振器

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タイトルに関連する用語 (2件)：
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同調

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Gunn発振器

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