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J-GLOBAL ID：201602000748043400   整理番号：70A0037218

へき開Siの清浄表面とCs被覆表面の表面準位

Surface states on clean an on cesium-covered cleaved silicon surfaces.

著者 (1件)： MONCH W
資料名： Phys Status Solidi  (Physica Status Solidi)
巻： 40  号： 1  ページ： 257-266  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0599A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 東ドイツ (DDR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高真空へき開し,単層までCs被覆をしたP形Siの表面伝導度を測定。被覆度θを増すと,伝導度△σは,清浄表面での値から減少し,θ=C,OC5で極少になり,θ寓0.C15-0.25域で△σ=一定,θ>0.25で急増を示す。フェルミ準位のθ依存性より,表面準位分布が求まる。清浄表面ではドナー型,アクセプタ型2種の表面準位帯がある;写図5参22

シソーラス用語： セシウム ,  被覆 ,  表面 ,  表面状態
準シソーラス用語： Cs ,  シリコン ,  電気伝導率 ,  電気伝導率(表面) ,  被覆(Cs) ,  表面伝導率

タイトルに関連する用語 (5件)： へき開 ,  Si ,  清浄表面 ,  Cs ,  表面準位