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J-GLOBAL ID：201602000754746871   整理番号：74A0046592

ダイアモンドの無フォノン線に対する不純物Nのひずみの効果

Impurity nitrogen strain effects on no-phonon lines in diamond.

著者 (1件)： DAVIES G
資料名： Proc Intern Conf Phys Semicond 10th Cambridge Mass  (Proceedings International Conference on the Physics of Semiconductors 10th 700817)
ページ： 277-281  発行年： 1970年 
JST資料番号： K19700249  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ダイアモンドの503nm吸収線幅を測定し,線幅は遷移エネルギーの精密な値とN不純物の含量に依存することを示した。不純物の作る.ひずみ場による不均一幅の理論を適用した。N含量による格子定数油の変化を取入れたひずみ場を用いた計算で幅-エネルギー,幅-含量特性を求め,実験とよい一致を得た;写図3参10

シソーラス用語： 光吸収 ,  不純物
準シソーラス用語： ダイアモンド ,  不均一幅

タイトルに関連する用語 (4件)： ダイアモンド ,  フォノン ,  不純物 ,  ひずみ