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J-GLOBAL ID：201602000791208855   整理番号：65A0016017

半導体化合物の性質と平均原子化熱との関係

On the relationship of semiconductor compound properties and the average heats of atomisation.
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著者 (2件)：
SADAGOPAN V

SADAGOPAN V について

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GATOS H C

GATOS H C について


資料名：
Solid-State Electron  (Solid-State Electronics)

Solid-State Electron について


巻： 8  号： 6  ページ： 529-534  発行年： 1965年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR) 
抄録/ポイント：
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半導体化合物の平均原子化熱(average heat of atomisation)をそれらの化合物の物理的性質,特にエネルギーギャップを互に関係付けるパラメータとして提案した。化合物の平均原子化熱は,各元素の原子化熱から与えられる。今まで使われていたほかのパラメータ.電気陰性度,生成熱,cation to anionradius ratio,平均主粒子数,vertical ruleなどを使用することにより小ずる矛盾を指摘し,平均原子化熱の一般的な妥当性を例証した。平均原子化熱は,参元素以上からなる半導体化合物の性質を相関づける唯一のパラメータである;表7参19
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性質

性質 について

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平均

平均 について

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原子化熱

原子化熱 について


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