抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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25くにおいて中性子照射したときでききる格子欠陥の磁余効をを8~400°Kの温度範囲で調べた残留抵抗率の回復の第第I領域の範囲内で,若干の極めて顕著な余効が見出された。磁気余効の回復過魯の主な特徴は残留抵抗率の場合と致致たた;図5表1参8