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J-GLOBAL ID：201602000870236937   整理番号：72A0036854

結晶性および無定形III-V半導体の状態密度の計算

Calculation of density of states for crystalline and amorphous III-V semiconductors.

著者 (3件)： KRAMER B ,  M ASCHKE K ,  THOMAS P
資料名： Phys Status Solidi B  (Physica Status Solidi)
巻： 48  号： 2  ページ： 635-642  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 複合バンド構造(CBS)の方法は無定形半導体に対する配位で平均をとったグリーン関数の極の位置の決定に用いられる。グリーン関数は凝ポテンシャルを用いて書かれn体相関関数に対する近似としてガウス型の2体相関関数の積を用いて平均化する。この方法を用いて結晶性および無定形のGaP,GaAs,GaSb,InP,InAsおよびlnSbの状態密度を計算した。無定形構造の短距離秩序を近似的な相関関数によって考慮した;写図4参7

シソーラス用語： 状態密度
準シソーラス用語： CBS法 ,  擬ポテンシャル法 ,  第III-第V族化合物 ,  無定形半導体

タイトルに関連する用語 (4件)： 結晶性 ,  無定形 ,  状態密度 ,  計算