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J-GLOBAL ID：201602000876273273   整理番号：66A0286489

シリコントランジスタにおいて中性子により誘起されたベース電流の研究

A study of the neutron-induced base current component in silicon transistors.

著者 (1件)： GOBEN C A
資料名： IEEE Trans Nucl Sci  (IRE Transactions on Nuclear Science)
巻： NS-12  号： 5  ページ： 134-146  発行年： 1965年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： 前の論文で,中性子を照射したときのベース電流の変化分は,照射される中性子線束に比例することを報告したが,本論文では,その原因をさらに究明するために,リング・ドット型シリコン・ブレナートランジスタを用いて,電圧-電流特性の指数関数的増加からのはずれ,およびベース電流の横方向バイアス依存性,などを測定し解析した。その結果,中性子線照射によるベース電流の変化はシリコン内部の空間電荷領域の変化に帰因することが明らかとなった。用いた中性子は,0.01MeV,2x10¹⁴/cm²であった;図8参7

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  トランジスタ ,  中性子 ,  誘起 ,  ベース電流 ,  研究