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J-GLOBAL ID：201602000894633481   整理番号：62A0010484

低エネルギーHe⁺,Kr⁺,Xe⁺イオン衝撃によるスパッタ生成

Sputtering yields for low energy He⁺,Kr⁺,and Xe⁺-Ion bombardment.

著者 (2件)： ROSENBERG D ,  WEHNER G K
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 33  号： 5  ページ： 1842-1845  発行年： 1962年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： 既にHg⁺,Ar⁺,Ne⁺,イオン衝盤によっていろいろの金属のスパツタを伴うことは行なわれているが,これをもっと拡張し,He⁺,Kr⁺,Xe⁺のイオンを用いていろいろの金属を作った.4000Vの衝撃では原子番号に週期的に依存してスパッタの量が変化し,これは昇華熱の逆数に対する原子番号の関係と同様である.実験に用いられたターゲットはBe.C,Al,Si.Ti,U.Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Ge,Zr,Nb,Mo,Ru,Rb,Pd,Ag,Hf,Ta,W,Re,Os,Ir,Pt,Au,Tn,UUの30元素である

タイトルに関連する用語 (3件)： 低エネルギー ,  イオン衝撃 ,  スパッタ