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J-GLOBAL ID：201602000993186209   整理番号：68A0122208

四ふっ化ほう酸塩としてのほう素の電位差定量

Potentiometric determination of boron as tetrafluoro-borate.

著者 (2件)： CARLSON R M ,  PAUL J L
資料名： Anal Chem  (Analytical Chemistry)
巻： 40  号： 8  ページ： 1292-1295  発行年： 1968年 
JST資料番号： A0395A  ISSN： 0003-2700  CODEN： ANCHAM  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： 液体イオン交換膜電極による四ふっ化ほう酸(I)の電位差定量。電極はIの10-5懐まで用いられる。Iは0.28MHF中,60°C,5分間で生成する。徽う素に特異的な樹脂Amberlite XE-243でほう素を妨害陰イオンから分離後,10%HFでIを生成,これをNaOHで溶離し,電位差定量する;図4表1参6

タイトルに関連する用語 (4件)： ほう酸塩 ,  ほう素 ,  電位差 ,  定量