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J-GLOBAL ID：201602001021660519 整理番号：66A0228651
半導体はい素の工学I高純度化
Die Technologie des Halbleitersiliziums.I.Die Hochreinigung.
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著者 (1件)：
HADAMOVSKY H F
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資料名：
Neue Huette (Neue Huette)
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巻：
10
号：
8
ページ：
449-454
発行年：
1965年
JST資料番号：
D0196A
ISSN：
0028-3207
CODEN：
NEUHA
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
ドイツ (DEU)
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高純度Siを得るためには先ず原料を選ばなければならない。選ばれた原料を高純化するための方法として,先ずS iの物理的性質を説明し,次にゾーンメルチング法の理論と実例を示す。試作した装鐙は真空度3×10両Torr以下で,全長475mm有効長475nmである;写1図4表2参8
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