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J-GLOBAL ID：201602001064371154 整理番号：62A0137428
新らしい半導体負性抵抗素子
Transferred electron amplifiers and oscillators.
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著者 (1件)：
HILSUM C
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資料名：
Proc IRE (Proceedings of the IRE)
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巻：
50
号：
2
ページ：
185-189
発行年：
1962年
JST資料番号：
D0378A
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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伝導帯の構造が2個の極小をもち,それらのエネルギー差が儀小でしかも低い方の極小点の有効質量が高い方のそれに比べて小さいような半導体を用いると,適当な条件が成り立つ場合,棒状負性抵抗素子を作ることができる.その条件を検討し,GaSbおよびGaAsについて計算を行った.これらの物質はいつれも負性抵抗素子を作ることは可能であると思われるが,理想的ではない.この素子を発振器として使用すると,能率は低いが10
12
c/s程度までの発振ができると思われる;図9参8
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