抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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熱反射率の方法は半導体のバンド構造の研究における有用な道具である。実験的に観察される熱反射率スペクトルを一定の熱反射率機構および一定の励起子線の形に関する仮定に基づく理論的考察と比較した。高抵抗CdS単結晶の熱反射率スペクトルを108・-3200Kの温度範囲で測定した。スペクトルの主な特徴は現存する理論から導かれる簡単なモデルを基にして説明出来る。スペクトルの発生は,励起子遷移が室温においても熱反射率の構造を決定していることを示す;写図3表1参11