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J-GLOBAL ID：201602001129728306 整理番号：60A0105058
磁心記憶装置におけるトランジスタ
Transistors in magnetic matrix memory systems.
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著者 (1件)：
FAROOQUI M M
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資料名：
J Inst Telecommun Eng (Journal of the Institution of Telecommunication Engineers)
J Inst Telecommun Eng について
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巻：
6
号：
2
ページ：
86-89
発行年：
1960年
JST資料番号：
C0312A
CODEN：
JITEA
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
インド (IND)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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[マトリクス形磁心記憶装置において,真空管の代わりζトランジスタを用いることは,小形化,信頼度向上などの点から望ましい.1語由0ビット,4000語の記憶装置をトランジスタで駆動する場合の電流・電圧関係を検討し,トランジスタとして,コレクタ電圧80V.エミッタ・ベース電圧40V,コレクタ電流0.5A,飽和抵抗1ρ,立上り立下り0.2μ,s,蓄積時間α3μs,消費電力lWのものが必要との結論を得た.サイクル・タイムは5μS
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