文献

J-GLOBAL ID：201602001158797112   整理番号：64A0180377

シリコンの上のシリコン酸化膜の電子化学的現象

Electrochemical phenomena in thin films of silicon dioxide on silicon.

著者 (3件)： SERAPHIM D P ,  BREMEKANN A E DHEUHLE F M ,  FRIEDMAN HL
資料名： IBM J Res Dev  (IBM Journal of Research and Development)
号： 4  ページ： 400-409  発行年： 1964年 
JST資料番号： D0061B  ISSN： 0018-8646  CODEN： IBMJAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： y/-64酸化膜の上につけた金属のコントロールジングによってプレーナジジコン接合の表面に電界を加えた。キャパシタンスの測定の結果シリコン酸化膜とシジコンの境界およびその近傍に大きな正の動かない電荷が存在することがわかった。コントロールジングを負に。バイアスすると動かない電荷による電界を打消す電界が生じるために4伏電圧が高くなる。コントロールリングを正にすると非常に大きな漏れ電流が流れる。漏れ電流が高温に敏感であることから,この功果のモデルが暗示される;図9表1参1 5

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  シリコン酸化膜 ,  電子 ,  化学的現象