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J-GLOBAL ID：201602001192404561   整理番号：70A0012469

冷却したFET入力を用いたバイアスを付加したGe(Li)とSi(Li)放射線検出器の容量の測定

Capacitance measurement on biased Ge(Li) and Si(Li) radiation detectors used with cooled LET input.

著者 (2件)： KUHN E W ,  SCHROEDER A N F
資料名： Nucl Instrum Methods  (Nuclear Instruments & Methods)
巻： 79  号： 2  ページ： 304-308  発行年： 1970年 
JST資料番号： D0208A  ISSN： 0029-554X  CODEN： NUIMA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge(Li)またはSi(Li)検出器の容量-電圧特性は放射線検出器の性能に重要なものであるので,ここでは電荷有感前羅増幅器直線増幅器,マルチチャネし分析器とテストパルサーを用いてバイアス電圧の関数として冷却したpin検出器の容既測定について述べている。テストパウス検出器と分析器を通して結んでいる。この方法はFETをクラィオスタット内に内臓したものと外部前置増幅器のときにあてはまるものである。電荷の校正は初めに単色のエネ「しギーのγ線の光電ピークを用いて行ない,つぎに線源を除き,テストパスが固定容量を通して前に決めた一定電荷パルスの位置を検出器のバイアス電圧の関数として測定される。容量の測定はパルスとブリッジ回路を用いて測定している。容取の測定はプレナー型と半径方向(内側から外測にドリフト)の幾学的条件をもつ同軸型Ge(Li)について行なっており,50V以上のバイアスレベtLで測定した容量の値は同じ依存性を示している。非常によくクリーンアップされた検出器では50Vで容量が飽和することを見い出している(永原照明);写1117参7

シソーラス用語： FET ,  けい素 ,  ゲルマニウム ,  コンデンサ ,  結晶計数管
準シソーラス用語： リチウムドリフト半導体 ,  電界効果トランジスタ

タイトルに関連する用語 (6件)： FET ,  バイアス ,  Ge ,  Li ,  Si ,  放射線検出器