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文献
J-GLOBAL ID:201602001248128279   整理番号:66A0014473

III-V半導体における電気反射とスピン-軌道分裂

Electroreflectance and spinorbit splitting in IIIV semiconductors
著者 (3件):
資料名:
巻: 16  号:ページ: 48-50  発行年: 1966年
JST資料番号: H0070A  ISSN: 0031-9007  CODEN: PRLTAO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA) 
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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III-V族半導体GaP,GaAs,GaSb,InP,InAs,InSbおよびGeのE’0遷移のスピン-軌道分裂Δ’0を観測し,それぞれ0.05,0.171,0.298,0.07,0.26,0.336,0.16eVと決定した。測定は半導体と電解質の境界面の電気反射を求める方法で行なった。Δ’0はE1ピークの分裂よりも幾分小さく価電子帯のΔ5方向のスピン-軌道分裂値と一致;図2表1参8
タイトルに関連する用語 (2件):
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