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J-GLOBAL ID：201602001262838408   整理番号：71A0045719

無定形酸化膜の電気現象

Electrical phenomena in amorphous oxide films.

著者 (2件)： UEARNALEY G ,  MORGAN D V
資料名： Rep Prog Phys  (Reports on Progress in Physics)
巻： 33  号： 11  ページ： 1129-1191  発行年： 1970年 
JST資料番号： H0130A  ISSN： 0034-4885  CODEN： RPPHAG  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： A1,0,,Ta,0,.SlOを用いたMIM素子における.フォーミング,微分負性抵抗,スイッチング,記憶.エレクトロルミネセンス,電子放出の特性とその機構を論じ.その機能素子としての応用の可能性を述べる;写図36表10参159

シソーラス用語： スイッチ効果 ,  負性抵抗
準シソーラス用語： MIM接舎 ,  SiO ,  Ta₂O₅ ,  フォノンミング ,  無定形酸化膜

タイトルに関連する用語 (3件)： 無定形 ,  酸化膜 ,  現象