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J-GLOBAL ID：201602001291873930   整理番号：72A0043534

Si反転層中のバンド分裂

The band splitting in silicon inversion layers.

著者 (1件)： DORDA G
資料名： Proc Intern Conf Phys Chem Semiconductor Heterojunctions Layer Struct Budapest Vol V  (Proceedings. International Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Heterojunctions and Layer Structures 701011 Vol.5)
ページ： 83-90  発行年： 1971年 
JST資料番号： K19700155  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： ハンガリー (HUN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 千ヤンネルMOSトランジスタの圧抵抗効果を調べ,圧力により片変化タゲート電圧の関数として求め,その変化量が(1001面について最も大きいことが分つた。サフパンド甲の電十の有効質量はバルクの値と異なっており・表面量子化効果は・臨界電圧以下で現われている。また表面電界によって・谷間遷移の異方性が現われていることも分った;写図6参5

シソーラス用語： MOSFET ,  MOS構造
準シソーラス用語： シリコン ,  圧抵抗 ,  表面量子化

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  反転層 ,  バンド分裂