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J-GLOBAL ID：201602001377999863   整理番号：72A0027767

VO₂の結晶学的転移に及ぼす二つの因子

The two components of the crystallographic transition in VO₂.

著者 (1件)： GOODENOUGH J B
資料名： J Solid State Chem  (Journal of Solid State Chemistry)
巻： 3  号： 4  ページ： 490-500  発行年： 1971年 
JST資料番号： H0505A  ISSN： 0022-4596  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： VO,の結晶が単斜晶系から正方晶系へ転移する二つの機構を明らかにした。Tlの温度でV-V間結合の等極性から金属性結合への変化と同様に,T温度における強誘電性から常誘電性への二つの機構を論じた。常圧での純粋のVO2はTl=T,=340Kの温度で二つの遷移が同時に起る。Tl<T,の条件は原子の置換によって作られ,中間の温度範囲では斜方晶系の強誘電的ひずみを持つ構造になる。これらのエネルギーバンドと半導性をこの二つの温度と関連して考察;写図6表1参65

シソーラス用語： 移動度 ,  化学結合 ,  酸化バナジウム ,  相転移 ,  電子構造 ,  半導性 ,  誘電率

タイトルに関連する用語 (3件)： VO2 ,  結晶学 ,  因子