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J-GLOBAL ID：201602001433128161   整理番号：69A0310352

パルス電圧による半導体ダイオードおよびトランジスタの故障しきい値レベルの決定

Determination of threshold failure levels of semiconductor diodes and transistors due to pulse voltages.

著者 (2件)： WUNSCH D C ,  BELL R R
資料名： IEEE Trans Nucl Sci  (IRE Transactions on Nuclear Science)
巻： 15  号： 6  ページ： 244-259  発行年： 1968年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 予稿  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： 半導体接合のパルス電力故障レベルを広く調べた。80種類のSiダイオード・トランジスタ(接合面積10^-4~10^-1cm²)についてkW程度の電力,継続時間0.1~20μsのパルスを順逆両方向に加えた。実験データと簡単な熱破壊のモデルから半経験式を導き,これを用いることにより接合面積が分ればパルス幅の関数として故障しきい値の程度を推測できた。すなわち電力をP(kW),接合面積をA(cm²),時間をt(μs)とするとP/A=480t^-1/2となる;写図16 表1 参22

タイトルに関連する用語 (5件)： パルス電圧 ,  半導体ダイオード ,  トランジスタ ,  故障 ,  しきい値レベル