抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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半導体接合のパルス電力故障レベルを広く調べた。80種類のSiダイオード・トランジスタ(接合面積10
-4~10
-1cm
2)についてkW程度の電力,継続時間0.1~20μsのパルスを順逆両方向に加えた。実験データと簡単な熱破壊のモデルから半経験式を導き,これを用いることにより接合面積が分ればパルス幅の関数として故障しきい値の程度を推測できた。すなわち電力をP(kW),接合面積をA(cm
2),時間をt(μs)とするとP/A=480t
-1/2となる;写図16 表1 参22