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J-GLOBAL ID：201602001449867061   整理番号：72A0257406

スバッタリングで作ったオーム性および整流性ショットキー障壁の特性

Properties of ohmic and rectifying Schottky barriers fabicated by sputtering.

著者 (4件)： TOVE P A ,  BERG S ,  ANDERSSON L P ,  RYDER A
資料名： IEEE Conf Rec Electron De  (IEEE Conference Record of Electron Device Techniques)
巻： 1970  ページ： 67-70  発行年： 1970年 
JST資料番号： A0845A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スパッタリング技術で作ったSiショットキー障壁ダイオードについて.電流成分の熱活性化エネルギーを測定し,電気的特性に与えるスバッタリング条件の影響を検討した。損傷によって生ずる表面準位でオーム性になったり整流性になっビリする。 良い整流性ダイオードでは.高温での活性化エネルギーはショットキー障壁の高さに尉応し.高温ではショットキー電流が優勢となる;写図6参4

シソーラス用語： Schottky障壁ダイオード ,  スパッタリング ,  表面状態
準シソーラス用語： オーミック接触 ,  シリコンダイオード ,  整流

タイトルに関連する用語 (3件)： オーム ,  整流 ,  ショットキー障壁